Compléter le manuel gratuit de VLSI avec des diagrammes et des graphiques
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L'application couvre en détail plus de 90 sujets de conception VLSI. Ces sujets sont divisés en 5 unités.
Vous pouvez très facilement passer et réussir dans vos examens ou vos entretiens, l'application fournit une révision rapide et une référence aux sujets comme une carte flash détaillée.
Chaque sujet est complet avec des diagrammes, des équations et d'autres formes de représentations graphiques pour une compréhension facile. Certains sujets abordés dans cette application sont:
1. Mémoires de semi-conducteurs: introduction et types
2. Lire uniquement la mémoire (ROM)
3. Trois cellules de dramage transistor
4. Une cellule de dramage transistor
5. Mémoire flash
6. Circuits logiques CMOS Low - CMOS: Introduction
7. Conception des onduleurs CMOS
8. MOS Inverters: Introduction aux caractéristiques de commutation
9. Techniques basées sur le scan
10. Techniques d'auto-test intégrées (BIST)
11. PROPOSITIQUE HISTORIQUE DE LA CONCEPTION VLSI: LOI DE MOORE
12. Classification des types de circuits numériques CMOS
13. Un exemple de conception de circuit
14. Méthodologies de conception VLSI
15. flux de conception VLSI
16. Hiérarchie de conception
17. Concept de régularité, de modularité et de localité
18. Fabrication CMOS
19. Débit de processus de fabrication: étapes de base
20. Fabrication du transistor NMOS
21. Fabrication CMOS: processus P-Well
22. CMOS Fabrication: Nell Nell Process
23. Fabrication CMOS: processus de baignoire jumelle
24. Diagrammes de bâton et conception de disposition du masque
25. Transistor MOS: Structure physique
26. Le système MOS sous biais externe
27. Structure et opération de MOSFET
28. La tension de seuil
29. Caractéristiques de tension de courant de MOSFET
30. Échelle MOSFET
31. Effets de la mise à l'échelle
32. Effets de la géométrie petite
33. Capacités MOS
34. onduleur MOS
35. Caractéristiques de transfert de tension (VTC) de l'onduleur MOS
36. Onduleurs avec charge MOSFET de type N
37. Onduleur de charge résistive
38. Conception d'onduleurs de charge de déplétion
39. onduleur CMOS
40. Définitions de temps de retard
41. Calcul des temps de retard
42. Conception de l'onduleur avec contraintes de retard: exemple
43. Circuits de logique MOS combinatoire: Introduction
44. Circuits logiques MOS avec charges de NMOS d'épuisement: deux entrées ni porte
45. Circuits logiques MOS avec charges de NMOS d'épuisement: Généraliser ni structure avec plusieurs entrées
46. Circuits logiques MOS avec charges de NMOS d'épuisement: analyse transitoire de NOR GATE
47. Circuits logiques MOS avec charges de NMOS d'épuisement: porte NAND à deux entrées
48. Circuits logiques MOS avec charges de NMOS d'épuisement: structure NAND généralisée avec plusieurs entrées
49. Circuits logiques MOS avec charges de NMOS d'épuisement: analyse transitoire de la porte NAND
50. CMOS Logic Circuits: NOR2 (deux entrées NOR)
51. CMOS NAND2 (deux nand d'entrée)
52. Disposition des portes logiques CMOS simples
53. Circuits logiques complexes
54. Portes logiques CMOS complexes
55. Disposition des portes logiques CMOS complexes
56. Gates Aoi et Oai
57. Pseudo-nmos portes
58. CMOS CIRCUIT PLAQUE ET ADDANT DE RONDE
59. Gates de transmission CMOS (portes de passe)
60. Logique complémentaire de passe-transistor (CPL)
61. Circuits de logique MOS séquentiel: Introduction
62. Comportement des éléments bistables
63. Le circuit de verrouillage SR
64. Latch SR chronométré
65. Latch JK chronométré
66. Master-Slave Flip-Flop
67. CMOS D-Latch et Talle déclenché par le bord
68. Circuits logiques dynamiques: Introduction
69. Principes de base des circuits de transistor de passe
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